不集训但想打世预赛 ，劝告杨瀚森抛弃理想 ，照旧留美打磨自己吧
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五角大楼或需800亿美元为伊朗战事“埋单”
文 | 财华社在 2026 年的这个初夏 ，存储芯片行业似乎正在经历一场前所未有的 " 超等春天 "。正当各人都在推测这个 " 春天 " 能连续多久时 ，大幅波动不期而至。在今年以来累涨超 90% 后 ，费城半导体指数于 2026 年 6 月 23 日泛起大调解 ，单日下挫近 8% ，翌日（6 月 24 日）再微跌 0.18% ，指数重磅股美光科技（MU.US）在宣布季绩前夕收市微跌 0.31%。然而 ，收市后不久 ，美光交出一份碾压全市场预期的季报 ，瞬间扭转资金情绪 ，股价盘后大涨超 12% ，直接点燃全球存储板块的做多热情。这份财报最亮眼的地方 ，是两大焦点业务极其强劲的增速：云存储业务（CMBU）截至 2026 年 5 月 28 日止 2026 财年第 3 财季收入同比大增 306.65% ，环比增长 77.69% ，至 137.69 亿美元 ，毛利率直冲 83% ，较上年同期扩大 25 个百分点；焦点数据中心业务（CDCB）季度收入按年涨幅突破 6 倍 ，按季增 1 倍 ，至 115.24 亿美元 ，毛利率更是高达 87% ，按年扩大 49 个百分点 ，创下历史新高。AI 算力对高带宽内存、企业级闪存的饥渴水平 ，已经完全体现在场上的利润内外。行情很快传导至亚太市场。韩股应声高涨 ，韩国综合指数狂飙 5.42% ，三星电子大涨 5.29% ，SK 海力士大涨 13.06%。作为美光最直接的竞争敌手 ，两家韩企的上涨逻辑高度一致：HBM 高带宽内存订单供不应求 ，高端存储产能被云厂商恒久锁定。事实上 ，不止韩国两大芯片巨头和美光 ，从西部数据（WDC.US）分拆出来的闪存和固态硬盘公司闪迪（SNDK.US）今年以来股价累涨 706.50% ，为纳斯达克 100 指数涨幅最大的身分股 ，可反应资本关于存储工业链的热捧。但狂欢之余 ，各人或许有一个疑问：已往几十年重复起落、暴涨暴跌的存储芯片 ，真的能挣脱 " 两年昌盛、两年萧条 " 的宿命 ？这一轮由算力催生的行业春天 ，究竟是短暂的涨价反弹 ，照旧延续数年的超等周期 ？从 " 白菜价 " 到 " 战略资源 "：存储芯片的涅槃重生要理解这场狂欢 ，我们得先看看存储芯片这棵 " 老树 " 是如何开出 " 新花 " 来。存储芯片 ，通俗来说就是电子设备的 " 影象货仓 " ，主要分为卖力临时数据读写的 DRAM（如电脑内存条）和卖力恒久数据生存的 NAND Flash（如固态硬盘）。自上世纪七八十年代降生以来 ，这个行业就刻满了周期性的基因。存储晶圆厂属于重资产项目 ，一座先进工厂投资动辄百亿美元 ，从建厂、调试到满产 ，最少需要 18 到 24 个月。下游手机、PC 需求回暖 ，会驱使厂商启动扩产；比及产能大规模落地 ，消费电子景气度往往已回落 ，海量芯片瞬间过剩 ，价格暴跌 ，行业进入亏损隆冬。已往三十多年 ，全球存储行业历经多轮牛熊轮回。上行周期里芯片价格翻倍 ，下行阶段 DRAM 现货价最多跌去 80% ，大宗中小厂商破产出局。经过残酷洗牌 ，全球形成高度寡头垄断花样：DRAM 市场由三星、SK 海力士、美光三家牢牢把控 ，凭据调研机构 Counterpoint Research 的数据 ，2026 年第 1 季这三大巨头在 DRAM 市场合共占据约 89% 份额；NAND 闪存则由三星、SK 海力士、美光、铠侠、闪迪五家朋分 ，市场集中度达 87% ，见下图。以往拉动行业苏醒的主力 ，是手机出货量、PC 换机这类消费电子需求 ，而其周期的起伏往往与用户的使用和系统更新关联。直到 AI 时代到来 ，这套运行规则正在被深刻改写 ，而改写规则的是 HBM 高带宽内存。各人日常电脑、效劳器用的普通 DDR 内存 ，是平铺装置在主板上的 ，就像地面平铺的多条小路 ，数据传输距离长、通道窄、速度有限 ，足够满足办公、浏览、普通效劳器运算 ，但完全跟不上 AI 大模型的算力需求。AI 训练需要每秒吞吐海量数据 ，古板 DDR 内存的传输速度、数据吞吐量会直接成为算力瓶颈 ，HBM（高带宽内存）就是为解决这个痛点而生。HBM 的焦点存储介质仍然是 DRAM ，但它抛弃了古板平铺设计 ，通过硅通孔（TSV）技术将多颗 DRAM 芯片笔直堆叠 ，再通过硅中介层（silicon interposer）近距离贴合在 GPU 旁边。古板 DDR 的数据总线宽度仅为 64 位 ，而 HBM 的总线宽度抵达 1024 位（部分高端规格达 4096 位） ，相当于把小路改建立交桥式的多层超等高速路 ，数据传输距离大幅缩短、通道翻倍拓宽 ，速度、带宽、能效全面碾压古板内存。HBM 的迭代历程 ，就是一部连续提速扩容、适配高端算力的进化史。早在 2013 年 ，行业推出初代 HBM1 ，仅 4 层堆叠 ，带宽有限 ，主要用于高端显卡 ，并未大规模普及；2016 年迭代出 HBM2 ，堆叠层数、传输速度大幅提升 ，开始逐步进入专业算力领域；后续升级的 HBM2E 进一步优化速率、提升单颗容量 ，性能稳步进阶。真正引爆 AI 工业的是HBM3和HBM3E ，也是目今 AI 效劳器的主流刚需配置 ，带宽较初代产品提升数倍 ，完美适配大模型训练、推理的海量数据吞吐需求；而最新迭代的 HBM4 ，更是朝着超高带宽、超低功耗偏向升级 ，将支撑未来更高阶的 AI 算力迭代。和古板 DDR 内存相比 ，HBM 体积更小、功耗更低、数据吞吐能力极强 ，是 AI 算力的 " 刚需基石 "。也正因极强的稀缺性和不可替代性 ，HBM 成为本轮存储行情的焦点龙头 ，极高的产品溢价撑起了美光、三星、SK 海力士的超高毛利 ，彻底改写了行业盈利逻辑。AI 重构供需 ，存储芯迎来春天美光刚刚宣布的季绩中 ，两大焦点业务板块的业绩飙升 ，就是工业厘革最直观的体现。其云存储业务部（CMBU）专攻亚马逊（AMZN.US）、微软（MSFT.US）、谷歌（GOOG.US）、阿里云等顶级云厂商客户 ，产品以 HBM 高带宽内存与 DDR5 高端效劳器内存为主。AI 训练效劳器对 DRAM 容量的消耗是古板效劳器的 8 至 10 倍 ，HBM 更是决定算力能否跑起来的刚需硬件。头部云厂商签下 3 到 5 年长约锁定产能 ，订单刚性强 ，尤其在目今供不应求的行情中。该业务分部于 5 月末财季营收及盈利大增 ，运营利润率更较上年同期提升 32 个百分点 ，至 78% 的丰富水平 ，足以证明美光对下游客户的议价力。美光的焦点数据中心（CDBU）业务 ，则涵盖政企和中小云厂商的通用效劳器内存、企业级 SSD 及全部 NAND 闪存业务。AI 训练会爆发海量数据集 ，推理场景又需要大容量固态盘做缓存 ，企业级存储需求井喷。该板块的最新季度营收同比大增 653.20% ，毛利率按年上升 49 个百分点 ，至 87% ，经营利润率显著扩大 63 个百分点 ，至 83% ，订价权之强可见一斑。在 AI 时代 ，需求端换了主角：原本占主导的消费电子需求退居其次 ，数据中心一跃成为存储芯片第一大下游。AI 算力建设不应只是短期风口 ，随着万卡智算中心连续落地 ，全球云厂商资本开支连年上调 ，存储从电脑配件 ，升级为算力基建的刚性耗材 ，需求连续性被无限拉长。与此同时在供应端 ，三星、SK 海力士、美光告竣了默契 ，将有限的晶圆、封装资源优先倾斜给 HBM、DDR5、企业级 SSD 等高毛利产品 ，主动压缩消费级通用存储的新增投放量。鉴于产能爬坡周期长达两年 ，即便现在建厂 ，2027 年之前都难有大宗新增产能入市。一边是连续增长的恒久订单 ，一边是克制的产能扩张 ，古板短周期被拉长�；蛊毡榕卸� ，DRAM 供需缺口在短期内将维持高位 ，结构性缺货至少可以延续到 2028 年 ，甚至有机构预警可能延长至 2030 年 ，存储正式从 " 周期品 " 迈入 " 生长 + 周期 " 的超等上行阶段。全球竞争花样的新变量全球竞争花样也随之演变：韩企牢牢占据 HBM 第一梯队 ，SK 海力士凭借先发优势占据 HBM 技术高地 ，目今 HBM 市场份额接近六成；三星凭借全工业链优势（内存 + 闪存）加速追赶 ，HBM 份额已升至 21%；美光则依托北美云厂商订单稳住高端基本盘 ，HBM 份额坚持在 21% 水平 ，如图所示。不可忽视的是 ，中国企颐魅正成为花样中的新变量。长江存储在 3D NAND 领域实现国产突破 ，市场份额稳步提升 ，过去面的图中可以看到 ，长江存储在全球 NAND 的市场份额从一年前的 8% ，扩大至 2026 年第 1 季的 13%。长鑫存储在 DRAM 领域连续扩产 ，2026 年营收预计将迈上新台阶 ，从上面的图可以看到 ，长鑫存储的 DRAM 全球市场份额从 2025 年第 1 季的 3% 扩大至 2026 年第 1 季的 8%。尽管在 HBM 等尖端领域短期内仍难撼动韩美巨头 ，但在中低端通用存储市场 ，中国厂商的产能释放将对全球供需和价格体系爆发日益深刻的影响。牛市能走多久 ？机缘与危害并存从客观角度来看 ，这轮周期简直具备极强的韧性。与已往由智能手机或 PC 换机潮引发的短期脉冲差别 ，AI 基础设施建设是一场恒久的 " 军备竞赛 "。亚马逊、微软、谷歌等科技巨头在 2026 年的资本支出预计将高达 7,600 亿美元。为了锁定未来的算力 ，这些巨头甚至不吝支付高额预付款 ，与存储厂商签订 3 到 5 年的恒久供货协议。这种深度的利益绑定 ，极大地平滑了古板周期的剧烈波动 ，让高景气度得以延续。AI 算力建设的存储红利还远未结束。大模型从训练走向大规模落地推理 ，机械人、自动驾驶、边沿盘算陆续铺开 ，会连续催生海量内存与闪存需求。HBM4（2026 年第 2 季已量产）、HBM4E（已向头部客户出样）、下一代 DDR6、超高堆叠 3D NAND 等技术迭代 ，会不绝翻开产品单价与盈利空间 ，高端存储应可在一段时间内维持高景气。寡头的产能纪律依旧牢固。经历过多轮亏损周期之后 ，外洋三大厂商不会再重蹈盲目扩产的覆辙 ，资本开支或将优先投向 HBM、DDR5、企业级 SSD 等高附加值新品 ，通用存储不会再次泛起产能过剩。美光已落地 16 份跨领域恒久战略供货协议（SCA） ，笼罩公司约两成的 DRAM 出货量和 1/3 的 NAND 出货量 ，其中 14 份合约保底营收达千亿美元 ，客户合计缴纳 220 亿美元履约包管金——行业商业模式已从 " 周期博弈 " 转向 " 长协锁定 " ，价格下行的危害或大幅降低。并且 ，存储芯片已上升为科技战略物资 ，各国政企数据中心国产化采购稳步推进 ，给国产厂商留出稳定的替代空间。如上文所述 ，长江存储和长鑫存储的全球市占率有明显提升 ，在中低端通用存储市场逐步填补外洋巨头战略性退出的缺口。然而 ，春天的背后依然潜伏着隐忧 ，首先 ，AI 资本开支保存阶段性波动。如果全球云厂商削减算力预算 ，大模型行业融资降温 ，效劳器存储订单会快速收缩 ，最先承压的就是 DDR5 与企业 SSD 业务 ，板块估值会迎来剧烈回调。目今全球存储股价已累积巨大涨幅 ，一旦需求缺乏预期 ，高估值会率先迎来杀跌。其次 ，产能释放的压力终会到来。2027 年后 ，外洋新建晶圆厂逐步投产 ，HBM 与高端内存产能会稳步增加；同时三大巨头的竞争已从价格战转向技术卡位和恒久协议绑定 ，能否坚持 80% 以上的超高毛利率仍有待视察。最后 ，消费电子需求依旧疲软。手机、PC 出货量迟迟看不到全面苏醒 ，普通 DRAM、消费级 NAND 始终处于弱需求状态。一旦 AI 算力需求放缓 ，行业会立刻回归古板周期 ，低端存储率先开启价格战 ，拖累整体行业盈利。总结来看：未来两年 ，由 HBM、效劳器存储主导的结构性行情或许率延续 ，高毛利产品连续量价齐升；但到 2027 年下半年 ，随着产能集中释放 ，行业或再次迎来供需平衡 ，本轮超等周期的上行段或许率会在那时进入尾声。这不是永久的牛市 ，只是一轮被 AI 拉长的超等上行周期。东方破晓：中资力量的崛起与港股新机缘在这场全球存储盛宴中 ，中国企业并未缺席 ，反而正在迎来前所未有的历史性机缘。外洋三大巨头为了追逐 HBM 的高额利润 ，战略性地退出了部分古板 DDR4 和 NAND 的存量市场。这恰恰为国产存储厂商腾出了空间。一、晶圆制造1）中芯国际（00981.HK）：海内第
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